如何制作平行眼图案_如何制作平行六面体

三星取得三维半导体存储器件专利,实现源极导电图案在衬底上并平行...金融界2024年2月28日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器件“授权公告号CN110120393B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示,一种三维(3D)半导体存储器件包括:源极导电图案,在衬底上并平行于衬底的顶表面延伸;以及电极结构,包括在等我继续说。

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...制造方法专利,实现字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案的集成绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错并在平行于基板的主表面的水平方向上延伸,并且在垂直方向上彼此重叠。沟道孔在垂直方向上穿过字线结构和绝缘结构。电荷捕获图案位于沟道孔中,并在垂直方向上彼此间隔开而使局部绝缘区域在其间。本文源自金融小发猫。

三星取得集成电路和集成电路组专利,提供集成电路和集成电路组多个栅极图案,平行第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开;第一接触件,在有源区内和栅极图案上;连接下金属线和上金属线的过孔;多个鳍,沿第二方向延伸并形成在有源区上;源区/漏区,在有源区中和栅极图案两侧处;第二接触件,连接到源区/漏区。栅极图案在鳍上沿第一方向跨过鳍彼此平好了吧!

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