如何制作平行板电容器

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晶合集成获得发明专利授权:“一种电容器测试结构、制作方法以及...专利名为“一种电容器测试结构、制作方法以及测试方法”,专利申请号为CN202311140913.9,授权日为2023年12月26日。专利摘要:本申请提供一种电容器测试结构、制作方法以及测试方法,该测试结构包括:多个分电容层,各所述分电容层相互平行,每个所述分电容层包括第一电极板和等会说。

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长鑫存储申请半导体结构及其制作方法专利,有助于提升沟槽电容器的...本公开提供了一种半导体结构及其制作方法,该半导体结构包括具有至少一个沟槽的衬底,以及与至少一个沟槽对应设置的至少一个沟槽电容器,沟槽电容器位于沟槽中,沟槽电容器包括多层导电层,其中,以平行于衬底的平面作为预设截面,每层导电层在预设截面上的截面图形相似,每层导电说完了。

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晶合集成取得电容器专利,基于分电容层进行组合测试制作方法以及测试方法“授权公告号CN116884956B,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本申请提供一种电容器测试结构、制作方法以及测试方法,该测试结构包括:多个分电容层,各所述分电容层相互平行,每个所述分电容层包括第一电极板和第二电极板,且同一所述分电容层的所述等我继续说。

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