图案填充_图案填充怎么操作

金橙子取得一种对环形图案的交叉填充方法及存储介质专利金融界2024年10月25日消息,国家知识产权局信息显示,北京金橙子科技股份有限公司取得一项名为“一种对环形图案的交叉填充方法及存储介质”的专利,授权公告号CN 118616910 B,申请日期为2024年8月。

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三星取得半导体装置专利,设备隔离层可以填充第一有源图案中的相邻...一种半导体装置包含:第一有源图案以及第二有源图案,在衬底上;第一源极/漏极区,在第一有源图案上;第二源极/漏极区,在第二有源图案上;以及装置隔离层,填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第还有呢?

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...的填充边界识别专利,实现了矢量PDF图纸中填充图案边界的自动识别公开了一种矢量PDF图纸的填充边界识别方法、装置、设备及存储介质。其中,该方法包括:获取矢量PDF图纸中的种子图元,种子图元为矢量PDF图纸中包含的多个填充图案线图元中的任意一个;基于种子图元的图元特征,确定填充图案线图元组;基于填充图案线图元组中各个填充图案线图好了吧!

三星申请半导体器件专利,填充绝缘图案分别设置在字线和栅栏图案之间在有源图案的中心部分上在第一方向上延伸;字线,在与第一方向交叉的第二方向上与有源图案交叉;栅栏图案,在字线上设置在彼此相邻的位线之间;接触沟槽区,在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上与有源图案和字线交叉;以及位线接触和填充绝缘图案,在接触沟槽区中在第三方向上等会说。

三星取得半导体器件专利,该专利技术能实现更高效的半导体器件设计该衬底包括从衬底的顶表面垂直地突出的第一有源图案;以及填充形成在第一有源图案的上部上的第一凹部的第一源极/漏极图案。该第一源极/漏极图案包括第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。第一半导体图案具有第一面、第二面和当第一面和第二面彼此会合时是什么。

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三星申请半导体器件专利,该专利技术能实现更高效的半导体器件设计金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117596870A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,一种半导体器件可以包括:衬底,所述衬底包括有源图案;导电填充图案,所述导电填充图案位于所述有源图案的上部的杂质区等我继续说。

三星申请半导体器件专利,提供半导体器件一种半导体器件包括:下导电图案,设置在基底上;上导电图案,设置在下导电图案上;以及第一插塞图案,设置在下导电图案与上导电图案之间,并且连接到下导电图案和上导电图案。第一插塞图案包括限定第一插塞凹槽的第一阻挡图案和填充第一插塞凹槽的第一插塞金属图案,并且第一插塞还有呢?

天山电子取得一种负显液晶显示屏专利,避免明显的露光现象的发生通过在上层玻璃基板下表面的上层ITO 走线图案的空隙处和下层玻璃基板上表面的下层ITO 走线图案的空隙处分别设置不同的上层ITO 填充图案和下层ITO 填充图案,使得液晶显示屏的整个显示区域能够保持相对统一的厚度,这样背光发出的光线能够在从下层玻璃基板的下表面穿透到上还有呢?

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三星取得半导体器件及其制造方法专利,新技术提高了器件隔离层的氦...所述衬底包括第一有源图案和第二有源图案;器件隔离层,所述器件隔离层填充所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一沟槽,所述器件隔离层包括掺杂有氦的氧化硅层,所述器件隔离层的氦浓度高于所述第一有源图案和所述第二有源图案的氦浓度;以及栅电极,所述栅电极与所述第等我继续说。

劲嘉股份申请立体光学薄膜及其制备方法专利,专利技术能实现绿色...该立体光学薄膜包括:由下至上依次设置的结构色微图案层、透明中间层和微透镜阵列层;结构色微图案层为由微腔干涉层和填充二维周期性阵列结构的凹槽层组成的复合结构;微腔干涉层设置在透明中间层和所述凹槽层之间;微透镜阵列层是由按照设定排列方式进行排列的微透镜组成的等我继续说。

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